对于通信运营商来说，网络增量和高速化是首要课题，目前运营商主干线网主要使用100G的传输系统，为了满足5G时代带来的流量需求，业界认为有必要导入400G传输系统。目前，通信运营商面对高速度低功耗低时延的5G网络建设需求，开始认识到导入400G传输系统的话将有必要导入新型光纤，如G654E光纤。

G654E光纤有何不同呢？以G654E光纤和G652D光纤为例做作对比如下：

 
第一：G654E光纤的制作方法和G652D有区别一般情况下，G652D光纤的纤芯部分要掺锗，把光封闭在纤芯里面(不漏光到涂覆层)，使光进行全反射的一个构造。而G654E光纤的纤芯部分是用纯石英玻璃制作的，因为是纯石英材质，可以实现超低损耗。

第二：G654E的Aeff(有效面积)大于G652D通常，G652D光纤的Aeff在80um2左右，但是G654E的Aeff规格在110～130um2。因此，G654E可以称之为与以往光纤特性不同的光纤。
那么，下面我们使用藤友光纤熔接机V9来进行G.654.E光纤和不同普通光纤熔接，看一下光纤熔接有何区别。
在进行G.654.E光纤熔接时，与一般的光纤熔接主要存在两方面的差别：一是熔接影像上，二是熔接损耗和效果上。
观察一下影像上的区别，以下光纤熔接的图片都来自藤友光纤熔接机V9。
正是因为光纤的折射，还有纤芯和包层折射率的不同，造成了光纤影像明暗不同的变化。
因此，当G.652.D-G.654.E混接时，在熔接点附近出现垂直于纤芯的“黑线”;而当G654E-G654E自熔时，在熔接点附近出现垂直于纤芯的“白线”。出现以上两种是由于G.654.E光纤包层里掺入了氟元素导致的，因此两者可视为正常现象，不会影响熔接后的光学、机械性能，无需进行重复熔接操作。